據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:37
1380 
7 系列 FPGA 幀 ECC 邏輯可檢查配置幀數(shù)據(jù)的單位或雙位錯(cuò)誤。它可使用基于幀數(shù)據(jù)（ BitGen 生成）計(jì)算的 13 位漢明碼校驗(yàn)值
2017-09-28 06:04:007316 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
，我的理解是ECC每傳輸512字節(jié)后就校驗(yàn)出3字節(jié)的ECC數(shù)據(jù)，但在使用連續(xù)讀取時(shí)（K9F1208U0B），Flash芯片會(huì)連續(xù)輸出528字節(jié)（包括了16字節(jié)的OOB），此時(shí)是不是ECC數(shù)據(jù)又更新了
2019-05-20 02:32:08
，比較適合應(yīng)用于存儲(chǔ)少量的代碼。2.NAND flash相對(duì)成本低。使用中數(shù)據(jù)讀寫容易出錯(cuò)，所以一般都需要有對(duì)應(yīng)的軟件或者硬件的數(shù)據(jù)校驗(yàn)算法，統(tǒng)稱為ECC。由于相對(duì)來說，容量大，價(jià)格便宜，因此適合用來存儲(chǔ)
2018-07-16 15:22:53
Of Band)[2]。這個(gè)區(qū)域最初基于NAND Flash 的硬件特性﹐數(shù)據(jù)在讀寫時(shí)候相對(duì)容易出錯(cuò)﹐所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性,必須要有對(duì)應(yīng)的檢測和糾錯(cuò)機(jī)制,此機(jī)制被叫做EDC /ECC。所以設(shè)計(jì)了多余的區(qū)域
2020-11-05 09:18:33
Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
;, setno, nmtd, info);/*調(diào)用init chip去掛載你的nand驅(qū)動(dòng)的底層函數(shù)到"nand flash的結(jié)構(gòu)體"中，以及設(shè)置對(duì)應(yīng)的"ecc mode"
2018-07-17 15:00:00
}if(NumByteToRead % NAND_ECC_SECTOR_SIZE)//不是NAND_ECC_SECTOR_SIZE的整數(shù)倍，不進(jìn)行ECC校驗(yàn){ //讀取NAND FLASH中的值 for(i=0;i
2018-11-09 08:52:08
: 64nand: using OMAP_ECC_BCH8_CODE_HW ECC scheme9 ofpart partitions found on MTD device
2018-06-21 07:09:15
/index.php/AM335x_NAND_Driver's_Guide對(duì)于一些接觸Linux NAND flash driver的朋友，這里簡要介紹一下。Linux下，訪問NAND，NOR等
2018-06-04 10:24:25
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 10:21 編輯
大家好，由于flash供貨問題，原先我們使用的是 MT29F4G08ABAEAWP這個(gè)nand flash，現(xiàn)在需要替換
2018-06-21 04:12:12
的XMC BANK2/3各有一個(gè)ECC計(jì)算模塊，可以在讀/寫一個(gè)ECCpage后生成一個(gè)ECC碼，并存儲(chǔ)在ECC結(jié)果寄存器（XMC_BK2/3ECC）。用戶向NAND FLASH寫數(shù)據(jù)時(shí)，可將ECC碼寫入
2021-06-28 19:33:45
;~(S3C64XX_SROM_BW__CS_MASK = 9){printk("s3c-nand: MLC8 ECC uncorrectable error detected\n"
2016-10-28 22:33:26
硬件去做ECC話，那么下面也會(huì)去設(shè)置成NAND_ECC_SOFT，系統(tǒng)會(huì)用默認(rèn)的軟件去做ECC校驗(yàn)，相比之下，比硬件ECC的效率就低很多，而你的nand flash的讀寫，也會(huì)相應(yīng)地要慢不少
2018-07-16 15:32:37
最近把歷程的 nand flash 程序移植到 MT29F32G08CBACA 這個(gè)芯片上，出現(xiàn)如下問題，如果單獨(dú)使用如下函數(shù)進(jìn)行測試是是正常的，F(xiàn)TL_Init
2018-11-15 08:56:28
安錯(cuò)誤探測/錯(cuò)誤更正〔EDC/ECC)算法來確保數(shù)據(jù)的完整性，因此出現(xiàn)問題的幾率要大得多，壞區(qū)塊也是不可避免的，而且由于壞區(qū)塊是隨機(jī)分布的，連糾錯(cuò)也無法做到。 7）NAND Flash一般地址線和數(shù)
2013-04-02 23:02:03
，關(guān)鍵性數(shù)據(jù)更是需安錯(cuò)誤探測/錯(cuò)誤更正〔EDC/ECC)算法來確保數(shù)據(jù)的完整性，因此出現(xiàn)問題的幾率要大得多，壞區(qū)塊也是不可避免的，而且由于壞區(qū)塊是隨機(jī)分布的，連糾錯(cuò)也無法做到。 7）NAND Flash
2014-04-23 18:24:52
、Toshiba、ST-Micro和其他廠商）的Nand Flash NAND FLASH Controller自動(dòng)進(jìn)行壞塊管理以及ECC糾錯(cuò)，壞塊表可存儲(chǔ)于FPGA內(nèi)部RAM塊。 NAND FLASH
2012-05-21 09:32:15
這句話是什么意思，不太懂。不推薦在沒有ECC的情況下讀取Nand flash總是在DNW串口調(diào)試工具上顯示這句話。
2019-05-20 05:45:22
devices NAND Device Support ---> NAND Flash support for S3C SoCs S3C NAND Hardware ECC 到了這里，開發(fā)板已經(jīng)
2018-07-05 12:55:00
/ECC，如果需要使用壽命長，還需要做平均讀寫，垃圾回收等處理。 第二，不同品牌之間的NAND Flash，由于Page，Block大小不同，時(shí)序不同等。都需要工程師重新調(diào)試驅(qū)動(dòng)。 第三，如果新項(xiàng)目
2019-09-29 16:45:07
HI， 我正在設(shè)計(jì)FPGA開發(fā)套件。在那里我想添加Nand Flash。使用nand flash與spartan系列fpga的優(yōu)點(diǎn)是什么。我需要支持文檔.reference
2019-05-23 09:55:41
SLC規(guī)格的，擦寫次數(shù)達(dá)到10萬次，存儲(chǔ)時(shí)間高達(dá)10年以上，硬件的ECC校驗(yàn)，更好的幫助客戶管理好flash。
2018-08-07 17:01:06
Flash memory是非易失性存儲(chǔ)的，可用于FPGA或者車載芯片上的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的加載。Flash Memory根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND
2022-07-01 10:28:37
，就會(huì)在u-boot從NAND中讀取jffs2時(shí)出現(xiàn)NAND read: device 0 offset 0x6c0000, size 0x27e0000ECC: uncorrectable.ECC
2018-05-28 02:26:33
的TC58NVG2S0HTA00時(shí)uboot就啟動(dòng)不了，而且上電后串口就直接打印“CCCCC”進(jìn)入了串口啟動(dòng)。
? ? ? ?這兩個(gè)flash的區(qū)別在于前者是2k每頁，后者是4k每頁的， 我想問一下，uboot的nandflash驅(qū)動(dòng)對(duì)于4k每頁的nand flash需要作一些ECC方面的修改么？?
2018-06-21 16:39:38
8bit也沒有問題
2、使用SD卡啟動(dòng)uboot之后，可以正常往flash里面讀寫數(shù)據(jù)
3、之前使用16位flash時(shí)，都已經(jīng)能正常操作
4、uboot中默認(rèn)的ecc校驗(yàn)方式為BCH8，從uboot來看
2018-06-21 08:18:17
。另外NAND FLASH 非常容易出現(xiàn)壞區(qū)，所以需要有校驗(yàn)的算法。在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序，但是必須有NOR FLASH來啟動(dòng)。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦
2018-08-09 10:37:07
可以執(zhí)行頁對(duì)頁拷貝。NAND FLASH 其他命令的介紹，請大家參考 MT29F4G08 的數(shù)據(jù)手冊。（4）ECC 校驗(yàn)ECC，英文全稱為：Error checking and Correction
2020-05-20 15:14:49
Nand flash在出廠以及在使用過程中會(huì)出現(xiàn)壞塊，以及會(huì)出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)的問題，為了數(shù)據(jù)的可靠性，通常需要采用ecc(Error Correcting Code)算法，一般對(duì)于SLC Nand，采用1bit
2015-07-26 11:33:25
我們知道，S5pv210的啟動(dòng)代碼是從Nand flash中開始執(zhí)行的，將Nand flash中的代碼拷貝到DDR中，再開始執(zhí)行C語言。Nand flash的重要性可想而知。Nand-flash內(nèi)存
2015-09-14 21:19:54
什么是NAND Flash？NAND Flash在嵌入式系統(tǒng)中的作用是什么？如何去使用NAND Flash控制器？
2021-06-21 06:56:22
`例說FPGA連載20：NAND Flash電路與擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s/1c0nf6Qc 如圖2.29所示，這是
2016-08-15 17:27:34
發(fā)現(xiàn)UBL1.50的4-bit ECC校驗(yàn)功能是失敗的，雖然自己調(diào)試成功了
請問Ti有沒有官發(fā)的新版本UBL代碼，修復(fù)了ECC校驗(yàn)功能？還是想用官發(fā)的版本
謝謝
2018-06-22 04:23:24
linux2.6.37uboot:為-BOOT 1.3.4 2、遇到的問題如下： 2.1、當(dāng)我將ecc模式設(shè)置為NAND_ECC_NONE時(shí)系統(tǒng)正常啟動(dòng)，但是將其設(shè)置為NAND_ECC_SOFT或NAND_ECC_HW模式時(shí)，系統(tǒng)啟動(dòng)不起來，具體設(shè)置和錯(cuò)誤信息如下圖，求大佬們指點(diǎn)
2019-08-29 12:51:16
的那么多的block的使用磨損，相對(duì)均衡一些，以此延長Nand Flash的使用壽命或者說更加充分利用Nand Flash。1.3 ECC錯(cuò)誤校驗(yàn)碼Nand Flash物理特性上使得其數(shù)據(jù)讀寫
2022-07-08 15:31:44
文章目錄1、存儲(chǔ)芯片分類2、NOR Flash 與 NAND Flash的區(qū)別3、什么是SD卡？4、什么是SD NAND？5、SD NAND的控制時(shí)序6、FPGA實(shí)現(xiàn)SD NAND讀寫6.1
2022-12-16 17:18:37
我的Linux移植了yaffs2文件系統(tǒng)。mkyaffs2img工具使用的yaffs2自身的ecc函數(shù)，在linux中也取消nand的ecc校驗(yàn)，設(shè)置成none。在配置內(nèi)核時(shí)選中
2019-07-15 05:45:13
到PC機(jī)，我計(jì)劃將該設(shè)備的存儲(chǔ)模塊做成一個(gè)類似于U盤的東西------只要插上PC機(jī)就可以識(shí)別,并能夠把里面數(shù)據(jù)文件拷貝出來。所以需要外加一個(gè)存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)：一個(gè)256MB的 nand flash 芯片
2013-09-24 14:09:37
本帖最后由 人間煙火123 于 2018-6-15 10:30 編輯
現(xiàn)在想把DM365的ECC由原來的軟件ECC校驗(yàn)改為硬件校驗(yàn)，在TI提供的內(nèi)核和u-boot中如何改？在
2018-06-15 03:28:38
是需要注意的事項(xiàng)：出廠壞塊信息：出廠時(shí)，設(shè)備中的某些塊即不可用。在設(shè)備生產(chǎn)時(shí)，將對(duì)每個(gè)塊進(jìn)行測試，并將測試失敗的塊標(biāo)記為壞塊。ECC校驗(yàn)：所有NAND Flash使用過程中，一些位會(huì)變得粘滯或狀態(tài)翻轉(zhuǎn)
2020-09-04 13:51:34
Nand Flash的ECC校驗(yàn)（與Nand主要差異）與普通的Nand不同，SPI Nand使用內(nèi)部ECC；當(dāng)讀/寫操作一個(gè)Page時(shí)，內(nèi)部自動(dòng)生成ECC；當(dāng)讀一個(gè)Page時(shí)，ECC將自動(dòng)檢測，如果有ECC錯(cuò)誤，它將自動(dòng)糾正；當(dāng)內(nèi)部ECC功能打開時(shí)，每個(gè)Page需要64個(gè)Bytes（內(nèi)部的，無需我們操心
2022-01-26 07:58:57
、Toshiba、ST-Micro和其他廠商）的Nand Flash NAND FLASH Controller自動(dòng)進(jìn)行壞塊管理以及ECC糾錯(cuò)，壞塊表可存儲(chǔ)于FPGA內(nèi)部RAM塊。 NAND FLASH
2012-02-17 11:11:16
256 Byte糾正1-bit，檢錯(cuò)2-bit；或RS碼1080字節(jié)糾正32-bit；NAND FLASH Controller自動(dòng)進(jìn)行壞塊管理以及ECC糾錯(cuò)，壞塊表可存儲(chǔ)于FPGA內(nèi)部RAM塊或片外
2014-03-01 18:49:08
。又要面對(duì)很多頭疼的問題：1，使用NAND?Flash要進(jìn)行壞塊管理，也需要做EDC/ECC等操作； 3、不同品牌之間的NAND?Flash由于內(nèi)部Block大小，page頁的大小，時(shí)序等參數(shù)
2019-10-10 16:55:02
求大佬分享一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)計(jì)方法？
2021-05-08 07:46:27
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-12 11:56 編輯
ECC校驗(yàn)是一種內(nèi)存糾錯(cuò)原理，它是現(xiàn)在比較先進(jìn)的內(nèi)存錯(cuò)誤檢查和更正的手段。ECC內(nèi)存即糾錯(cuò)內(nèi)存，簡單的說，其具有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤
2018-06-12 10:06:41
我的板子是EasyEVM，在調(diào)試NAND FLASH時(shí)，按照官方的例程配置eccType為NAND_ECC_ALGO_RS_4BIT，發(fā)現(xiàn)有以下兩個(gè)問題：1.讀取block0，page0時(shí)，讀到一般
2019-10-25 10:38:39
NAND Flash Driver for SLC NAND NAND driver firmware modulesThe NAND driver library has
2018-08-15 07:22:06
如題，韋老師畢業(yè)班自己寫bootloade似乎沒有管nand ecc在拷貝bootloader和kernel到sdram中時(shí)，nand flash里面自己出錯(cuò)了怎么辦？
2019-06-18 03:54:59
的nand flash的讀寫，也會(huì)相應(yīng)地要慢不少 */chip->ecc.mode = NAND_ECC_HW; //設(shè)置成了硬件方式校驗(yàn)eccswitch (info->cpu_type
2018-06-12 10:04:10
問題描述:STM32F4 是否可支援到 4 BIT ECC NAND FLASH.有測試過 4GBit 的nand flash 一開始還可以擦寫數(shù)十次並建立檔案系統(tǒng),後來就整個(gè)讀不到檔案系統(tǒng),持續(xù)
2019-03-28 05:44:00
到PC機(jī)，我計(jì)劃將該設(shè)備的存儲(chǔ)模塊做成一個(gè)類似于U盤的東西------只要插上PC機(jī)就可以識(shí)別,并能夠把里面數(shù)據(jù)文件拷貝出來。所以需要外加一個(gè)存儲(chǔ)模塊。存儲(chǔ)：一個(gè)256MB的 nand flash 芯片
2018-08-29 09:40:16
什么是內(nèi)存ECC校驗(yàn)
2009-12-25 14:28:001979 NAND Flash需求主要集中在智慧型手機(jī)、云端儲(chǔ)存大型資料庫用的固態(tài)硬碟（SSD）上。2013年智慧型手機(jī)、平板電腦對(duì)于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加，加上云端運(yùn)算商機(jī)，市場對(duì)第3季NAND Flash市場看法偏向吃緊，晶片價(jià)格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031 本文提出了 一種 NAND Flash 在 WINCE. net 系統(tǒng)中的應(yīng)用方案設(shè)計(jì)。首先介紹了 NAND Flash 原理及與 NO R Flash的區(qū)別 接著介紹了 系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方案
2016-03-14 16:01:23
2 NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析
2016-03-17 14:14:0137 Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142 基于FPGA的ECC快速算法研究及設(shè)計(jì)_陳俊杰
2017-01-07 19:08:432 Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925 如何編寫Linux 下Nand Flash驅(qū)動(dòng)
2017-10-30 08:36:4415 7 系列 FPGA 幀 ECC 邏輯可檢查配置幀數(shù)據(jù)的單位或雙位錯(cuò)誤。它可使用基于幀數(shù)據(jù)（ BitGen 生成）計(jì)算的 13 位漢明碼校驗(yàn)值。 在讀回過程中，幀 ECC 邏輯可計(jì)算使用所有幀位（包括
2017-11-15 12:25:011877 針對(duì)大容量固態(tài)存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)錯(cuò)“位”的問題，目前大多采用軟件ECC 模型進(jìn)行檢錯(cuò)和糾錯(cuò)，但這勢必會(huì)極大地影響存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀寫性能。基于ECC校驗(yàn)原理，提出一種并行硬件ECC 模型，并采用FPGA 實(shí)現(xiàn)。仿真分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:該模型不僅具有良好的糾錯(cuò)能力，而且顯著地提高了存儲(chǔ)系統(tǒng)的讀寫性能。
2017-11-18 10:32:515228 
的無粘接接口，可以大大簡化CPU對(duì)NAND Flash的操作時(shí)序，提高CPU的使用效率。ECC功能可以保證存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，ECC模塊和主控模塊相對(duì)獨(dú)立，在不需要ECC功能的時(shí)候，只需不使能ECC模塊，方便靈活。
2017-11-23 14:15:352812 校驗(yàn)進(jìn)行過多的設(shè)計(jì)，這是因?yàn)樵趯?shí)際應(yīng)用中NAND Flash主要用于存儲(chǔ)多媒體數(shù)據(jù)（圖片、語音文件）等，并不會(huì)對(duì)它進(jìn)行頻繁的寫入或擦除操作，而且多媒體文件數(shù)據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)的完整性不敏感［5］，所以不需要對(duì)存儲(chǔ)在其中的每一位數(shù)據(jù)進(jìn)行嚴(yán)格的ECC校驗(yàn)，可以通過另外設(shè)計(jì)簡單的校驗(yàn)方法來代替ECC校驗(yàn)。
2017-12-01 17:35:011944 
NAND FLASH被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應(yīng)用。FPGA靈活的硬件邏輯能實(shí)現(xiàn)對(duì)NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種
2018-10-18 17:47:01352 NAND Flash的容量較大。整片Flash分為若干個(gè)塊（Block），每個(gè)Block分為若干個(gè)頁（Page）。在每個(gè)頁中，除了數(shù)據(jù)區(qū)域，也包含若干“多余”的區(qū)域，用來進(jìn)行ECC等操作。在進(jìn)行擦除操作是，基本單位是“塊”；而編程的基本單位是“頁”。
2018-12-11 15:47:2013769 
NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁
2020-07-22 11:56:265264 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
移動(dòng)電話的功能日益豐富，其對(duì)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的需求正在快速增長。 NAND Flash具有速度快、密度大、成本低等特點(diǎn)，在各種數(shù)碼產(chǎn)品中得到了廣泛 應(yīng)用，在各種片上系統(tǒng)芯片中（SOC）集成NAND
2021-03-29 10:07:0819 就需要“挑選出壞塊”。 本文就為大家講述一下用于NandFlash的ECC校驗(yàn)原理與實(shí)現(xiàn)。 ECC簡介 由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能
2021-07-27 16:15:071864 
FPGA MCU通信——異步接口（仿NAND Flash）FPGA MCU通信——異步接口MCU側(cè)開發(fā)注意事項(xiàng)FPGA側(cè)注意事項(xiàng)FPGA MCU通信——異步接口之前很早就聽說了FSMC
2021-10-26 11:51:0327 Nand Flash的ECC校驗(yàn)（與Nand主要差異）與普通的Nand不同，SPI Nand使用內(nèi)部ECC；當(dāng)讀/寫操作一個(gè)Page時(shí)，內(nèi)部自動(dòng)生成ECC；當(dāng)讀一個(gè)Page時(shí)，ECC將自動(dòng)檢測，如果有ECC錯(cuò)誤，它將自動(dòng)糾正；當(dāng)內(nèi)部ECC功能打開時(shí)，每個(gè)Page需要64個(gè)Bytes（內(nèi)部的，無需我們操心
2021-12-02 10:51:1733 1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630 本文章主要講解了nand_flash初始化的方法，如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，Flash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
FLASH芯片分為Nor Flash和Nand Flash，Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線，用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù)，NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線，Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532 定義 ECC校驗(yàn)是一種內(nèi)存糾錯(cuò)原理，它是比較先進(jìn)的內(nèi)存錯(cuò)誤檢查和更正的手段。ECC內(nèi)存即糾錯(cuò)內(nèi)存，簡單的說，其具有發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，糾正錯(cuò)誤的功能，一般多應(yīng)用在高檔臺(tái)式電腦/服務(wù)器及圖形工作站上，這將使整個(gè)
2022-06-18 20:08:019898 
非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888 
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556 
在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性（點(diǎn)擊查看 ），本次文章將繼續(xù)為大家?guī)黻P(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問NAND
2023-09-22 18:10:02752 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735 
針對(duì)NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢，特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品，東芯股份強(qiáng)調(diào)其具有電壓選擇靈活（包括3.3V和1.8V）及豐富封裝形式，如WSON、BGA等。另外，公司實(shí)施的單顆集成技術(shù)，使得存儲(chǔ)陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:13343 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
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